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激光剝蝕-氮?dú)馕⒉姼旭詈系入x子體質(zhì)譜(LA-MICAP-MS):固體分析創(chuàng)新平臺(tái)

更新日期: 2026-04-16
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I  概述

激光剝蝕與電感耦合等離子體質(zhì)譜聯(lián)用(LA-ICP-MS)技術(shù)經(jīng)過數(shù)十年發(fā)展,已成為固體樣品中主量與痕量元素分析的強(qiáng)大工具。然而,傳統(tǒng)Ar-ICP離子源固有的氬基干擾(如??Ar?對(duì)??Ca??Ar1?O?對(duì)??Fe??Ar3?Cl?對(duì)??As等)以及高昂的氬氣消耗(約1 m3/h),始終是該技術(shù)難以回避的痛點(diǎn)。

近期,Neff等人發(fā)表于《Journal of Analytical Atomic Spectrometry》的研究將MICAP離子源與激光剝蝕系統(tǒng)聯(lián)用(LA-MICAP-MS),系統(tǒng)評(píng)估了其在固體樣品直接分析中的潛力。

II 干法條件下的背景譜圖:干擾顯著減少,新挑戰(zhàn)浮現(xiàn)

研究首先對(duì)比了干法條件下(無溶液引入)MICAP-MS與傳統(tǒng)Ar-ICP-MS的背景譜圖。結(jié)果顯示:

氬基干擾大幅消除:MICAP-MS中,??Ar???Ar1?O?8?Ar??等典型氬基干擾離子信號(hào)極低或低于檢出限,質(zhì)譜范圍35–107 m/z區(qū)域的背景顯著“潔凈"。

氮基背景物種形成:MICAP-MS的主要背景物種為N?NO?N??O??N??N??等。其中,1?N?和1?N1?O?豐度最高(檢測時(shí)需規(guī)避以避免檢測器飽和)。

未知背景信號(hào)待解:在m/z 8082108110處觀察到未知背景信號(hào),其來源尚不明確,但研究表明其與CArCu等元素?zé)o關(guān),有待進(jìn)一步探究。

III 關(guān)鍵待測元素的干擾消除與檢出限突破

得益于此潔凈背景,傳統(tǒng)Ar-ICP-MS中受嚴(yán)重干擾的關(guān)鍵同位素在LA-MICAP-MS中得以解放:

顯著受益的元素:??Ca??2Cr???Fe???Se?12?Te?等成為檢出限低的同位素。其中??Mn?因避開了??Ar1?N???Ar1?NH?的干擾,檢出限較Ar-ICP-MS降低了32倍。

檢出限整體對(duì)比:對(duì)NIST SRM 61064種元素的測定表明,LA-MICAP-MS的檢出限普遍與Ar-ICP-MS相當(dāng)甚至更低。尤其對(duì)于KCaCrMnCuSeTePb等元素,改善顯著。

仍需關(guān)注的元素:Si受1?N1?N?干擾導(dǎo)致檢出限升高;P受1?N1?O?強(qiáng)干擾(約800,000 cps)而無法檢出;Sn則因氣路中存在污染而背景升高。

IV 定量分析能力驗(yàn)證Ar-ICP-MS性能持平

研究采用NIST SRM 610為外標(biāo)、??Ca為內(nèi)標(biāo),對(duì)NIST SRM 612BCR-2G兩種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行了定量分析:

NIST SRM 612:涵蓋主量、輕質(zhì)量數(shù)、中質(zhì)量數(shù)、高質(zhì)量數(shù)、高電離能及受干擾元素在內(nèi)的多種元素,LA-MICAP-MS的定量結(jié)果與參考值的偏差均在±10%以內(nèi),與Ar-ICP-MS表現(xiàn)一致。

BCR-2G(稀土元素):對(duì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)低至0.5-54 mg/kg的稀土元素進(jìn)行定量,結(jié)果與參考值偏差同樣在±10%以內(nèi),證實(shí)了其在痕量分析中的可靠性。

V 長期穩(wěn)定性與儀器預(yù)熱

對(duì)長達(dá)8小時(shí)的連續(xù)監(jiān)測顯示,LA-MICAP-MS在開機(jī)后存在約1.5-2小時(shí)的儀器預(yù)熱漂移,輕質(zhì)元素信號(hào)升高,重質(zhì)元素則下降。但預(yù)熱穩(wěn)定后,信號(hào)比波動(dòng)可控制在5%以內(nèi)。ThN?/Th?比值全程穩(wěn)定在0.2%,而ThO?/Th?在預(yù)熱后從0.4%降至0.2%并保持穩(wěn)定。

VI 總結(jié)與展望

本研究證實(shí),LA-MICAP-MS對(duì)激光剝蝕產(chǎn)生的干氣溶膠具有與Ar-ICP相當(dāng)甚至更優(yōu)的蒸發(fā)、原子化及電離效率。其在主量至痕量元素定量分析中的表現(xiàn)與Ar-ICP-MS高度一致,同時(shí)憑借氮基等離子體從源頭消除了氬基干擾,顯著降低運(yùn)行成本。盡管在SiPSn等元素的分析中仍面臨新挑戰(zhàn),但總體而言,LA-MICAP-MS展現(xiàn)了挑戰(zhàn)乃至替代傳統(tǒng)LA-Ar-ICP-MS的巨大潛力。

 

 RADOM等離子體源,可直接替換原有氬離子源,重構(gòu)激發(fā)環(huán)境,突破傳統(tǒng)分析邊界:

依托十余年成熟的 Cerawave™ “瓷能環(huán)"技術(shù),形成穩(wěn)定且高性能的等離子體,基體耐受性更強(qiáng);

■無氬工作環(huán)境,從源頭消除氬基多原子離子干擾,大幅提升檢測精度與數(shù)據(jù)可靠性;

■特別適合39K40Ca56Fe75As80Se等同位素高精度分析,無需依賴碰撞/反應(yīng)池或冷等離子體技術(shù);

■模塊化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)與原氬離子源切換自如,優(yōu)化后的RF系統(tǒng)有效降低高壓負(fù)載,增強(qiáng)耐用性,做到低維護(hù);

■對(duì)于因離子源故障(尤其RF模塊)而年久失修的ICP-MS,能夠使其煥發(fā)新生;

■兼容多種 ICP-MS 采樣口,適合基于四極桿、飛行時(shí)間(TOF)及激光剝蝕(LA)等研究探索的質(zhì)譜實(shí)驗(yàn)室。

參考文獻(xiàn)

Neff C, Becker P, Hattendorf B, Günther D. LA-ICP-MS using a nitrogen plasma source. J Anal At Spectrom. 2021, 36: 1750-1757. 


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